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| 型号/规格 | 品牌 | 封装 | 产品参数 | 规格书 |
| BAT54W肖特基二极管 | CBI(创基) | SOD123 | SOD123 |  |
| SD103AWT肖特基二极管 | CBI(创基) | SOD523 | 肖特基二极管SOD523 VR=40V Io=350mA IR=50μA | |
| SD103AWT肖特基二极管 | CBI(创基) | SOD523 | 肖特基二极管SOD523 VR=40V Io=350mA IR=50μA | |
| ES3BC快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMC | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1V@3A 反向电流(Ir)：5μA@100V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(*值)：+150℃@(Tj) | |
| SSL34肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMA | 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：450mV@3A | |
| SS32F肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMAF | 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：550mV@3A | |
| ES1JLF快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMAF | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5μA@600V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(*值)：+150℃@(Tj) | |
| ES2A快/超快恢复二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMA | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1V@2A 反向电流(Ir)：5μA@50V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(*值)：+150℃@(Tj) | |
| KBP410G桥式整流器/整流桥 | Jingdao(晶导微电子) | KBP | 玻璃钝化桥式整流器 VR=1KV IR=5μA KBP | |
| MM1W5V1齐纳/稳压二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123 | 硅平面齐纳二极管 | |
| SS510C肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMC | 肖特基二极管 VR=100V Io=5A | |
| SS54肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMA | 肖特基二极管 SMA 28V 5A 1mA | |
| BAV21WS开关二极管（小信号） | Jingdao(晶导微电子) | SOD323-2 | 开关二极管 SOD323 SMT | |
| US1D整流二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMA | 表面安装超快恢复整流器正向电流-1 A SMA | |
| B5819W肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SOD123-2 | 肖特基势垒整流器SOD123 SMT 40V 1A | |
| SS56BG肖特基二极管 | SK(台湾时科) | SMB | "表面贴装肖特基势垒整流器 反向电压-20至200V 正向电流-5.0A" | |
| SS56C肖特基二极管 | Jingdao(晶导微电子) | SMC | 肖特基二极管 Single VR=60V IF=5A IR=50mA CJ=400pF SMC | |
| 1N4004 SMA整流二极管 | TWGMC(台湾迪嘉) | SMA | 整流二极管 VRRM=400V VF=1.1V SMA | |
| SS54/SMC肖特基二极管 | YENJI(台湾元基) | SMC | 肖特基二极管 Single VR=40V IF=5A SMC | |
| SS2200/SMA肖特基二极管 | YENJI(台湾元基) | SMA | VR=200V IF=2A 100pF | |
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